型号：SI4410DY-T1-E3-VB
丝印：VBA1311
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 最大持续电流：12A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：0.8V 到 2.5V
- 封装：SOP8

详细参数说明：
SI4410DY-T1-E3-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 30V 的额定电压和最大持续电流为 12A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 12mΩ @ 10V 和 15mΩ @ 4.5V。阈值电压 (Vth) 的范围为 0.8V 到 2.5V。

应用简介：
SI4410DY-T1-E3-VB 通常用于电源管理、电源开关和电源转换器应用中，特别适用于需要 N 沟道 MOSFET 的电路。SOP8 封装使其易于集成到各种电子设备和电路中。这种型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高电流承受能力，可提供卓越的性能和高效率。它适用于多种领域的模块，如电源开关、电源转换器、电池保护电路、电源管理、电源放大器、电动工具和其他低至中功率应用。阈值电压的范围使其适用于多种电路设计，可以在不同的电压条件下提供可靠的性能。