型号：SI4401BDY-T1-E3-VB
丝印：VBA2412
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-40V
- 最大持续电流：-11A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：13mΩ @ 10V, 17mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：-1.7V
- 封装：SOP8

详细参数说明：
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一款 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有-40V 的额定电压和最大持续电流为-11A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 13mΩ @ 10V 和 17mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为-1.7V。

应用简介：
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一种高性能的 P 沟道 MOSFET，适用于需要 P 沟道器件的电路应用。由于其 P 沟道特性，它通常用于电源开关、电池保护电路、负电源开关和其他需要 P 沟道 MOSFET 的应用。SOP8 封装使其易于集成到小型电子设备中。这种型号的 MOSFET 可以在需要高性能 P 沟道开关的应用中提供可靠的性能，适用于电源管理、电池保护、负电源控制和其他领域的模块。其低导通电阻和高电流承受能力使其在高效率和高功率应用中非常有用。