**产品型号:** SI3433CDV-T1-GE3-VB
**丝印:** VB8338
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装: SOT23-6
- 类型: P—Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -4.8A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 49mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): -1~-3V

**封装:** SOT23-6

**详细参数说明和应用简介:**
该器件是一款SOT23-6封装的P—Channel沟道场效应晶体管，适用于多种应用场景。主要参数包括负电压额定值、中等电流额定值、适中的开态电阻，使其在不同电源和负载条件下具有良好的性能。

**应用领域:**
1. **电源开关模块:** 由于其负电压和适中电流额定值，可用于电源开关模块中的开关电源和电压调节。
2. **电池保护模块:** 适用于移动设备和电池供电系统，提供对电池的可靠保护。
3. **信号开关模块:** 在需要高性能信号开关的场景中，可用于实现信号开关和电平转换。

**作用:**
- **电源开关模块:** 用于开关电源和电压调节，实现电源的高效能转换。
- **电池保护模块:** 提供对电池的可靠保护，防止过流和过压。
- **信号开关模块:** 作为信号开关的一部分，确保稳定的信号开关和电平转换。

**使用注意事项:**
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作，以确保器件的可靠性和稳定性。
2. 在设计中考虑散热需求，特别是在高电流和高功率应用中。
3. 确保在阈值电压范围内使用，以确保正常工作。
4. 避免超过额定电压和电流，以免损坏器件。