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Si2399DS-T1-GE3-VB一个P沟道SOT23-3封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
应用简介: Si2399DS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
由于其低导通电阻(RDS(ON)),能有效降低导通损耗,在需要高效能转换的电路中表现出色。
常用于电源管理、DC-DC转换等电路中,如适配器、电池充电器等。
优势: Si2399DS-T1-GE3的主要优势包括:低导通电阻: 具有低的导通电阻,减少了功率损耗和热量产生。
可靠性: VBsemi是知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高的可靠性。
封装: 小型SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块: Si2399DS-T1-GE3 可用于手机充电模块中的DC-DC转换器电路。
在手机充电时,需要将输入电压(通常是5V或9V)转换为适合充电电池的电压。
MOSFET可以在这些转换器中用作开关,控制电流流向,实现高效的电能转换。
该型号的低导通电阻有助于减少转换损耗,提高充电效率,同时SOT23封装适合手机模块的小型设计要求。

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