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SI2314EDS-T1-E3-VB一个N沟道SOT23-3封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:SI2314EDS-T1-E3-VB
丝印:VB1240
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 最大耐压:20V
- 最大漏电流:6A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):0.45V to 1V
- 封装:SOT23

应用简介:
SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N沟道场效应晶体管,适用于低功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性,适合用于小型电子系统。

领域模块应用:
1. 电源开关模块:SI2314EDS-T1-E3-VB可用于低功率电源开关应用,如便携式电子设备和电池供电设备。
2. 信号开关:适用于低功率信号开关和控制电路,如小型开关电路和信号切换器。
3. 低功耗模块:在需要低功耗的模块中,如传感器节点、小型控制器,可发挥作用。

这些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率电子应用中有广泛的应用。

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