型号：SI2310-VB
丝印：VB1695
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：60V
- 最大电流：4A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：85mΩ@10V, 96mΩ@4.5V
- 门源极电压（±Vgs）：20V
- 门源极阈值电压（Vth）范围：1V至3V
- 封装类型：SOT23

应用简介：
SI2310-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高电压承受能力和适中的电流承受能力，低漏极-源极电阻以及可调的门源极阈值电压。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。

应用领域：
1. 电源模块：SI2310-VB可用于低至中功率的电源开关模块，以提供电能转换和电压调节功能。适用于各种消费电子产品、通信设备和工业设备。

2. 电流控制：在电流控制模块中，它可以用于电流控制、电流开关和电源管理，适用于电机控制、电源管理和电池保护。

3. 放大和信号切换：在放大和信号切换模块中，SI2310-VB可用于信号放大和开关功能，适用于音频放大器、通信接口和传感器接口等应用。

4. 电源管理：它还可以用于电源管理模块，以实现高效能源管理、电压调节和电流保护，适用于便携式电子设备、电池管理系统和充电器。

总之，SI2310-VB是一种多功能的N沟道MOSFET，适用于多个领域的电子模块，提供电源管理、电流控制、信号放大和电源管理功能。