型号: SI2307DS-T1-GE3
丝印: VB2355
品牌: VBsemi

参数说明:
- MOSFET类型: P沟道
- 额定电压(VDS): -30V
- 额定电流(ID): -5.6A
- 开通电阻(RDS(ON)): 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): -1V
- 封装类型: SOT23

应用简介:
这款SI2307DS-T1-GE3 MOSFET是一款低压P沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。

这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。
- 电池管理模块：用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。
- 小功率开关模块：用于低压开关电路、低功率开关控制等低功率应用。
- 消费电子模块：用于低压低功率的消费电子产品中的功率管理和开关模块。

总之，SI2307DS-T1-GE3 MOSFET适用于需要低压低功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。