型号: RUR040N02TL-VB
丝印: VB1240
品牌: VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压：20V
- 最大电流：6A
- 开通电阻：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压：0.45~1V (Vth)
- 封装：SOT23

应用简介:
RUR040N02TL-VB是一款低压降的N沟道MOSFET器件，适用于多种低电压和低功率应用。这款器件可以在以下应用模块中发挥作用：

1. 便携式电子设备: 适用于手机、平板电脑、便携式音频设备等，以实现电池管理和电源开关。

2. 低功率开关模块: 用于低功率电源开关、DC-DC变换器、低功耗开关电路等。

3. LED照明驱动: 可用于低功率LED驱动和照明系统，以实现节能照明。

4. 便携式电池管理: 在便携式电池充电和放电管理中发挥作用。

RUR040N02TL-VB因其低电压降、低开通电阻和低功率损耗，适用于需要低电压和低功率开关的领域，为系统提供高效、节能的电源和开关解决方案。