**RU1HL13L-VB 详细参数说明：**

- **品牌：** VBsemi
- **丝印：** VBE2101M
- **封装：** TO252
- **参数：**
- P—Channel沟道
- 额定电压：-100V
- 最大电流：-15A
- RDS(ON)：120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-2V

**应用简介：**

RU1HL13L-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于低电阻和高电压的功率开关和放大应用。

**领域模块及作用：**

1. **电源开关：** 在电源模块中可用于高压、低电阻的功率开关，适用于电源供应器和逆变器。

2. **功率放大器：** 用于构建高压、高功率的音频和射频功率放大器，适用于音响和通信系统。

3. **电动机控制：** 在高电压电动机控制中发挥作用，例如用于电动汽车和工业驱动系统。

**使用注意事项：**

1. **电压和电流限制：** 不要超过规定的最大电压和电流，以防止器件损坏。

2. **温度控制：** 在操作过程中保持适当的温度，避免过热。

3. **静电防护：** 在处理和安装时采取防静电措施，以防止静电损害。

4. **阈值电压：** 确保正确的阈值电压，以确保器件在正常工作范围内。

以上信息仅供参考，具体应用需根据实际情况调整。