型号：RU1HE12L-VB
丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 封装类型：TO252
- 沟道类型：N—Channel
- 最大漏电压（Vds）：100V
- 最大漏极电流（Id）：18A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：1.6V

封装：TO252

应用简介：
RU1HE12L-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，适用于多种电路和模块设计，特别是在需要高性能N-Channel MOSFET的应用中。

领域模块应用：
1. **电源模块：** 适用于开关电源、电源逆变器等模块设计，能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. **电机驱动模块：** 由于其高电流和低漏电压特性，可用于电机驱动和控制模块，提供可靠的电流输出和驱动性能。

3. **电池保护模块：** 用于电池充放电管理电路，提供高效的电池管理和保护功能。

4. **LED照明模块：** 在需要高亮度和高功率的LED照明系统中，RU1HE12L-VB可以用于开关电源设计，以实现高效的LED照明。

5. **电流控制模块：** 适用于需要对电流进行精确控制的模块，如电流源、电流放大器等。

请注意，以上是一些典型的应用场景，实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成RU1HE12L-VB时，建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。