型号：RSD050N10TL
丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi

详细参数说明：
- 类型：N沟道MOSFET
- 最大耐压：100V
- 最大电流：18A
- 导通电阻：115mΩ @10V, 121mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：1.6Vth
- 封装：TO252

应用简介：
RSD050N10TL是一款N沟道MOSFET，适用于高压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为18A，具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于高压电源开关和DC-DC变换器等。
2. 电机驱动模块：可用于驱动大功率电机和汽车驱动系统。
3. 高压负载开关模块：适用于高压负载开关和电源控制器。

总之，RSD050N10TL适用于高压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和高压负载开关模块等。