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PSMN034-100BS-VB一个N沟道TO263封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号: PSMN034-100BS-VB
丝印: VBL1104N
品牌: VBsemi
参数: TO263;N—Channel沟道, 100V;45A;RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
封装: TO263

**详细参数说明:**
- **型号**: PSMN034-100BS-VB
- **丝印**: VBL1104N
- **品牌**: VBsemi
- **参数**:
- 封装: TO263
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 100V
- 额定电流: 45A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门源极阈值电压 (Vth): 2V

**应用简介:**
该产品适用于各种电子领域,具有优越的性能和稳定性,特别适用于以下领域模块:

1. **电源模块:**
由于其较高的额定电压和电流能力,PSMN034-100BS-VB非常适用于电源模块,包括直流电源和开关电源。

2. **电机驱动模块:**
该器件的高电流特性使其成为电机驱动模块的理想选择,可用于各种电机控制应用。

3. **电源逆变器:**
适用于电源逆变器,能够在不同的电压和频率要求下提供可靠的性能。

4. **电源管理系统:**
由于其低开态电阻和高电流能力,适用于电源管理系统,确保高效的电能转换和分配。

请注意,以上仅为一般性建议,具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。

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