**VBsemi NTZD5110NT1G-VB 产品详细参数说明：**

- **丝印标识：** VBTA3615M
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SC75-6
- **通道类型：** 2个N—Channel沟道
- **漏极-源极电压（V_DS）：** 60V
- **漏极-源极电流（I_D）：** 0.2A
- **导通电阻（R_DS(ON)）：** 1200mΩ @ V_GS=10V, 1200mΩ @ V_GS=20V
- **阈值电压（V_th）：** 0.4V

**应用简介：**

VBsemi NTZD5110NT1G-VB 是一款SC75-6封装的N—Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于低功率开关电源和信号放大应用。

**主要应用领域和模块：**

1. **低功率开关模块：** 适用于低功率直流-直流（DC-DC）变换器、低功率电源开关控制等。

2. **信号放大模块：** 由于其N—Channel设计，可用于信号放大模块。

**作用：**

- 提供低功率开关控制功能。
- 在信号放大电路中发挥作用。

**使用注意事项：**

1. **电压等级：** 在规定的电压范围内使用，不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。

2. **电流负载：** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。

3. **工作温度：** 在规定的工作温度范围内使用，避免超温操作。

以上信息仅为参考，实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书，确保正确使用，并遵循厂商的建议和注意事项。