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NTZD3155CT2G-VB一个N+P沟道SC75-6封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:NTZD3155CT2G-VB
丝印:VBTA5220N
品牌:VBsemi
参数说明:
- 沟道类型:N+P沟道
- 额定电压:±20V
- 最大电流:0.6A(正向)/-0.3A(反向)
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):270mΩ/660mΩ@4.5V, 410mΩ/840mΩ@2.5V
- 门源极电压(±Vgs):±12V
- 门源极阈值电压(±Vth)范围:±0.7V至±2V
- 封装类型:SC75-6

应用简介:
NTZD3155CT2G-VB是一款N+P沟道双极性场效应晶体管(MOSFET),具有正向和反向电流承受能力,低漏极-源极电阻,以及可适应不同门源极电压的特性。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。

应用领域:
1. 电源模块:NTZD3155CT2G-VB可用于电源开关模块,以提供电源开关功能和电压调节,适用于各种电子设备和电源系统。

2. 电流控制:在电流控制模块中,它可以用于电流开关和控制,适用于电机控制、电源管理和电流保护。

3. 放大和信号切换:在放大和信号切换模块中,NTZD3155CT2G-VB可用于信号放大和开关功能,适用于音频放大器、通信接口和传感器接口等应用。

4. 逆变器:它还可以用于逆变器电路,将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器和UPS系统。

总之,NTZD3155CT2G-VB是一种多功能的双极性MOSFET,适用于多个领域的电子模块,提供电源管理、电流控制、信号放大和逆变功能。

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