型号: NTS4409NT1G-VB

丝印: VBK1270

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SC70-3
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 20V
- 最大电流: 4A
- 开态电阻: RDS(ON) = 45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 阈值电压: Vth = 1~3V

封装: SC70-3

**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** SC70-3，表明该器件使用SC70-3封装，具有三个引脚。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 20V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 4A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1~3V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压范围。

**应用简介:**
NTS4409NT1G-VB是一款N-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. **电源开关:** 由于其N沟道性质和较高的额定电流，可用于电源开关和电源逆变器。
2. **电池保护:** 适用于电池管理系统，用于保护电池免受过放电和过充电的影响。
3. **低功耗设备:** 由于其低额定电压和低阈值电压，适用于需要低功耗的电子设备。
4. **信号开关:** 用于开关信号线，例如在通信系统中。

请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。