型号: NTP6413ANG-VB
丝印: VBM1104N
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 100V
- 最大电流: 55A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 36mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 38mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 2V
- 封装: TO220

应用简介:
NTP6413ANG-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：

1. **电源开关：** NTP6413ANG-VB可用作电源开关，用于控制电路中的大电流流动。其高额定电压和低导通电阻使其适用于高功率电源开关电路。

2. **电源管理：** 在电源管理模块中，NTP6413ANG-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。

3. **电池保护：** 在锂电池保护电路中，NTP6413ANG-VB可用于实现电池的充电和放电控制，确保电池的安全运行。

4. **电源逆变器：** 在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电力电子变频器等领域。

5. **电机驱动：** 在高功率电机控制和驱动器应用中，NTP6413ANG-VB可用于控制电机的启停和速度控制，例如电动汽车驱动和工业电机驱动。

这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，NTP6413ANG-VB的高额定电压、低导通电阻和高电流容忍能力使其成为用于高功率电源管理、电流控制和电源开关的理想元件。它可以在各种高功率电路中实现高效率和可靠性。