型号：NTGS3455T1G
丝印：VB8338
品牌：VBsemi

详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-30V
- 最大电流：-4.8A
- 导通电阻：49mΩ @10V, 54mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1~-3Vth
- 封装：SOT23-6

应用简介：
NTGS3455T1G是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-4.8A，具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负极电源控制和负载开关控制的应用。
2. 转换器模块：可用于负极电源控制的DC-DC转换器和逆变器。
3. 汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。

总之，NTGS3455T1G适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，主要用于电源管理、转换器模块和汽车电子模块等。