型号：NTF6P02T3G
丝印：VBJ2456
品牌：VBsemi

详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-40V
- 最大电流：-6A
- 导通电阻：42mΩ @10V, 49mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-0.83Vth
- 封装：SOT223

应用简介：
NTF6P02T3G是一款P沟道MOSFET，适用于需要负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-6A，具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 汽车电子模块：可用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。
3. 工业自动化模块：适用于工业自动化领域中的负载开关和电源控制。

总之，NTF6P02T3G适用于需要负极电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、汽车电子模块和工业自动化模块等。