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NTF5P03T3G-VB一个P沟道SOT223封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**NTF5P03T3G-VB**

**丝印:** VBJ2456
**品牌:** VBsemi
**参数:** SOT223;P—Channel沟道, -40V;-6A;RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=-0.83V

**封装:** SOT223

**详细参数说明:**
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大承受电压:** -40V
- **最大电流:** -6A
- **导通电阻:** 42mΩ(在VGS=10V时),35mΩ(在VGS=20V时)
- **阈值电压:** -0.83V

**应用简介:**
该器件适用于需要负载开关和功率逆变的模块,提供可靠的 P 沟道功率开关功能。主要应用领域包括但不限于电源管理、电池保护、和 DC-DC 变换器。

**作用:**
- 提供高效的 P 沟道功率开关功能。
- 适用于需要负载开关和功率逆变的应用。

**使用领域模块:**
1. **电源管理模块:** 用于构建高效的电源开关,稳定输出电压。
2. **电池保护模块:** 在电池管理系统中,用于实现快速的电池断路保护。
3. **DC-DC 变换器模块:** 适用于直流到直流的电能转换,提供高效的能量传输。

**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **极性注意:** 注意 P 沟道器件的负电压特性。
3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以免损坏器件。

如有需要进一步了解或有其他问题,请告诉我。

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