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NTD20P06LT4G-VB一个P沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:NTD20P06LT4G
丝印:VBE2610N
品牌:VBsemi
参数:
- 频道类型:P沟道
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-38A
- RDS(ON):61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:±20V
- 门源阈值电压:-1.3V
- 封装类型:TO252

应用简介:
NTD20P06LT4G(丝印:VBE2610N)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:

详细参数说明:
NTD20P06LT4G是一款具有高功率和低导通电阻的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-60V,额定电流为-38A,RDS(ON)为61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为-1.3V,封装类型为TO252。

应用领域:
NTD20P06LT4G(VBE2610N)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要高功率和低导通电阻的P沟道MOSFET电路。以下是一些典型的应用领域:

1. 电源管理模块:NTD20P06LT4G可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动:它可应用于电机驱动电路中,提供高功率和高效能的电力输出,适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统:NTD20P06LT4G适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高功率和高效能的要求。

综上所述,NTD20P06LT4G(VBE2610N)是一款P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高功率和低导通电阻的特点,适用于需要高功率和高效能的电路。

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