型号： NTD20N06LT4G-VB
丝印： VBE1638
品牌： VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：45A
- 导通电阻：24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
- 硅极电压：20Vgs (±V)
- 门槽电压：1.8Vth(V)
- 封装类型：TO252

详细参数说明：
NTD20N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其丝印为VBE1638，由VBsemi公司生产。该器件具有以下主要参数：
1. 高额定电压（60V）和大额定电流（45A），适合处理高功率电路；
2. 导通电阻低，具有优秀的导通性能（24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V），可以降低功率损耗；
3. 20V的硅极电压（20Vgs），以及1.8V的门槽电压（1.8Vth(V)），提供灵活的驱动和控制能力；
4. 封装为TO252，易于焊接和安装。

应用简介：
NTD20N06LT4G-VB MOSFET通常用于以下领域模块：
- 电源模块：由于其高额定电压和大额定电流，可广泛应用于电源模块中，用于稳定和分配电流；
- 电机驱动：该器件的低导通电阻和高功率特性，使其成为电机驱动模块的理想选择，可以提供高效率和高输出功率；
- 电子设备：由于其灵活的驱动和控制能力，NTD20N06LT4G-VB可以用于各种电子设备，如开关电源、逆变器、光伏发电系统等。

总之，NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高额定电压和大额定电流的N沟道MOSFET器件，适用于各种需要高功率性能和灵活控制的模块。