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NTB45N06LG-VB一个N沟道TO263封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:NTB45N06LG-VB
丝印:VBL1632
品牌:VBsemi

参数说明:
- N沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:40A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):23mΩ@10V, 27mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压(Vth):1.9V
- 封装类型:TO263

应用简介:
NTB45N06LG-VB是一种高性能N沟道MOSFET晶体管,适用于多种高电压和高电流的电子设备和应用领域。以下是一些可能的应用领域:

1. 电源模块:NTB45N06LG-VB可用于电源模块,以支持高电压和高电流的应用,适用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器设计。

2. 电机控制:该MOSFET适合用于电机控制电路,可用于工业电机、电动工具和电动车辆的驱动系统,支持高电流和高效率。

3. 高电压DC-DC转换器:在高电压DC-DC转换器中,NTB45N06LG-VB可用于电压变换和功率管理,适用于通信设备、电动汽车和太阳能逆变器。

4. 电池管理:这款MOSFET可用于电池管理系统,用于电池的充放电控制和保护,适用于电动汽车、太阳能存储系统等领域。

5. 高功率电子:NTB45N06LG-VB也适用于高功率电子应用,如电力电子、电动列车和电力传输和分配。

6. 汽车电子:在汽车电子领域,它可以用于电动汽车、混合动力车辆和其他高功率电子系统的控制和管理。

总之,NTB45N06LG-VB是一种多功能的高电压N沟道MOSFET晶体管,适用于多种高功率、高电流应用,以提供卓越的性能和可靠性。它特别适用于需要高功率开关和电压控制的应用。

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