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NID6002NT4G-VB一个N沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:NID6002NT4G-VB
丝印:VBE1695
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:N沟道
- 额定电压:60V
- 最大连续漏极电流:18A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):73mΩ @ 10V,85mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):2V
- 封装:TO252

应用简介:
NID6002NT4G-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有适中电流承受能力和低漏极-源极电阻,适用于多种电子应用领域。

应用领域:
1. **电源模块**:NID6002NT4G-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保护电路,有助于提高电能转换效率,特别适用于低电压电源管理。

2. **电机驱动**:这种MOSFET器件的适中电流承受能力和低电阻使其非常适合用于电机驱动器、电机控制和电机保护,可用于各种电机应用。

3. **电池管理**:在电动汽车、电动工具和便携式设备中,NID6002NT4G-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护,尤其在需要低电压的应用中。

4. **电源开关**:这种MOSFET可用于低电压和低电流的开关电路,如电源开关和电源逆变器。

5. **便携式设备**:NID6002NT4G-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池管理,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。

总之,NID6002NT4G-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、电源开关、便携式设备等模块。

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