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NDT456P-VB一个P沟道SOT223封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:NDT456P-VB
丝印:VBJ2456
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:P沟道
- 额定电压(Vds):-40V
- 最大持续电流(Id):-6A
- 导通电阻(RDS(ON)):42mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围(Vgs):20V(正负)
- 阈值电压(Vth):-0.83V
- 封装:SOT223

应用简介:
NDT456P-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于需要负向电压操作的电子应用。它具有低导通电阻和适度电流承受能力,适用于一系列电源控制和开关应用。

详细参数说明:
1. **类型**:这是一款P沟道MOSFET,意味着它在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要负向电压操作的电路中。

2. **额定电压(Vds)**:它可以承受的最大漏极-源极电压为-40V。这表示在正常工作条件下,其电压可以是负向的,但应不超过-40V。

3. **最大持续电流(Id)**:这款MOSFET的最大电流承受能力为-6A。负号表示电流流向是从源到漏极。

4. **导通电阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是导通状态下的电阻,它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下,它的RDS(ON)为42mΩ,而在4.5V下为49mΩ。低导通电阻表示它可以在导通状态下产生较少的功耗。

5. **门源电压范围(Vgs)**:MOSFET的门源电压范围为20V,这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。

6. **阈值电压(Vth)**:这款MOSFET的阈值电压为-0.83V。这是启动MOSFET导通的门源电压。

7. **封装**:这款MOSFET采用SOT223封装,这是一种小型封装,适用于小型电路板和空间受限的应用。

应用领域:
NDT456P-VB这款MOSFET适用于多种电子应用,特别是需要负向电压操作的领域,包括但不限于以下应用:

1. **电池保护**:可用于电池保护电路,以确保电池不过充电或过放电。

2. **开关电源**:可用于负向电压开关电源,用于电压转换和稳定。

3. **电源开关**:可用于负向电压电源开关,用于各种电子设备的电源控制。

4. **负向电压电路**:可用于负向电压操作的各种电子电路,如电流控制、逆变器和电源管理。

总之,这款P沟道MOSFET适用于需要负向电压操作的电子模块和设备,提供电源控制和电流管理的功能。

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