根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 NDT3055-VB 的详细参数和应用简介：

**型号：** NDT3055-VB

**丝印：** VBJ1695

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：60V
- 最大电流：4A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 门源电压阈值 (Vth)：1.53V
- 标准门源电压 (±V)：20V
- 封装：SOT223

**产品应用简介：**
NDT3055-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，适用于低至中功率的电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 具有适度的额定电压承受能力和较低的漏极-源极电阻，适用于多种领域。

**产品应用领域：**
1. **电源开关：** 该型号的 MOSFET 可用于电源开关应用，以切换电路中的电源连接，如电源管理单元和电源开关。

2. **电机驱动：** 适用于低至中功率的电机驱动电路，例如小型直流电机和步进电机，以提供电机控制和功率放大。

3. **电池保护：** 可用于电池保护电路，以控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。

4. **小型逆变器和电源逆变器：** 用于将直流电源转换为交流电源，适用于小型逆变器和电源逆变器，如家庭应急电源系统。

5. **信号放大器：** 适用于放大低至中功率信号的应用，如音频放大器和通信设备中的信号放大器。

总之，NDT3055-VB MOSFET 在多个领域中都有广泛的应用，用于功率控制、电流开关和信号放大等用途。由于其性能参数，它在电子模块和设备中起到关键作用。