型号： NCE60P25K-VB
丝印： VBE2658
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-60V
- 额定电流：-22A
- 导通电阻：48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V
- 阈值电压：-1.5Vth(V)
- 封装类型：TO252

应用简介：
NCE60P25K-VB是一款具有P沟道结构的功率MOSFET。它具有负向-60V的额定电压和-22A的额定电流，适用于需要控制P沟道MOSFET进行功率开关的应用场景。该器件的导通电阻在10V电压下为48mΩ，在4.5V电压下为57mΩ，能够提供低电阻和高效能的特性。阈值电压为-1.5Vth(V)，能够实现精确控制。

NCE60P25K-VB常用于以下领域模块：
1. 电源管理模块：该器件可用于电源开关、电源逆变器、DC-DC转换器等电源管理模块中，提供高效能、低电阻的开关控制。
2. 马达驱动模块：该器件可用于马达驱动电路，控制马达的启动和停止，实现高效能的驱动控制。
3. 照明模块：该器件可用于LED照明驱动电路，调节LED的亮度，提供高效能的照明控制。
4. 电源逆变器模块：该器件可用于电源逆变器电路，实现电能的转换和变换，提供高效能的逆变控制。

总之，NCE60P25K-VB是一款适用于各种功率开关应用的P沟道MOSFET，具有低电阻、高效能和精确控制等特点，广泛应用于电源管理、马达驱动、照明和电源逆变器等领域模块中。