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NCE40P40K-VB一个P沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:NCE40P40K-VB
丝印:VBE2412
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- P沟道
- 额定电压:-40V
- 额定电流:-65A
- 开启电阻:10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压:-1.6Vth(V)
- 封装形式:TO252

应用简介:
NCE40P40K-VB是一种P沟道功率MOSFET,适用于各种高功率应用。其主要特点是低开启电阻和大电流能力,能够承受较高的电压。该器件广泛应用于以下领域模块:

1. 电源和逆变器模块:NCE40P40K-VB可用于开关电源、逆变器、电源管理和电源控制模块中,提供高效的功率开关功能。

2. 电动工具:该MOSFET可用于电动工具领域,如电钻、电锯和电动车辆等,用于提供高功率和高效的电能转换。

3. 电动车辆充电器:NCE40P40K-VB可用于电动车充电器中,提供高功率充电,高效能源转换。

4. LED照明:该器件还适用于LED照明领域,如LED驱动器和LED控制模块中,用于实现高效能的电能转换和控制。

总之,NCE40P40K-VB主要用于高功率应用中,特别适合需要高效率和高功率开关功能的应用领域。

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