型号：NCE0103M-VB
丝印：VBI1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 最大连续电流：3.1A
- 静态开启电阻（RDS(ON)）：126mΩ @ 10V, 139mΩ @ 4.5V
- 门源极电压（Vgs）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 封装类型：SOT89-3

应用简介：
NCE0103M-VB 是一款N沟道MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：

1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和低电压电源应用。

2. **电池保护模块**：在需要保护电池免受过放电和过充电的应用中，NCE0103M-VB 可用于电池保护电路，确保电池的安全运行。

3. **DC-DC变换器**：在需要高效的DC-DC变换器中，这款MOSFET可用于帮助实现电压升降和电能转换。它适用于便携式设备、通信设备和工业应用。

4. **电机驱动模块**：NCE0103M-VB 可用于电机驱动和控制模块，包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。

5. **电流控制模块**：在需要高性能电流控制的应用中，这款MOSFET可以用于电流传感器和电流放大器模块。

NCE0103M-VB 具有N沟道，适用于需要N沟道MOSFET的应用，以实现高性能功率开关。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。