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MTB50P03HDLT4G-VB一个P沟道TO263封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**MTB50P03HDLT4G-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **丝印:** VBL2309
- **封装:** TO263
- **参数:**
- P—Channel沟道
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-75A
- RDS(ON):8mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-2V

**应用简介:**

MTB50P03HDLT4G-VB是一款TO263封装的P—Channel沟道场效应晶体管,适用于高电流和中等电压的功率开关和放大应用。

**领域模块及作用:**

1. **电源开关:** 用于高电流电源模块的功率开关,提供可靠的电源开关解决方案。

2. **电机驱动:** 适用于大功率电机控制,例如在电动工具和工业机械中的电机驱动系统。

3. **电子变换器:** 适用于电子变换器,如电源适配器和照明系统中的功率开关。

**使用注意事项:**

1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流,以防止器件损坏。

2. **温度控制:** 在操作过程中保持适当的温度,避免过热。

3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以防止静电损害。

4. **阈值电压:** 确保正确的阈值电压,以确保器件在正常工作范围内。

以上信息仅供参考,具体应用需根据实际情况调整。

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