型号：MTB1D7N03E3
丝印：VBM1302
品牌：VBsemi
参数：
- 频道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 额定电流：180A
- RDS(ON)：2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围：20V
- 门源阈值电压：1.7V
- 封装类型：TO220

应用简介：
MTB1D7N03E3（丝印：VBM1302）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：

详细参数说明：
MTB1D7N03E3是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和大电流承载能力。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为180A，RDS(ON)为2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V，门源电压范围为20V，门源阈值电压为1.7V，封装类型为TO220。

应用领域：
MTB1D7N03E3（VBM1302）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电压和大电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：

1. 电源管理模块：MTB1D7N03E3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统：MTB1D7N03E3适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电压和高功率的要求。

综上所述，MTB1D7N03E3（VBM1302）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和大电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。