型号: MCH3409-TL-VB
丝印: VBK1270
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 20V
- 最大电流: 4A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 45mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 49mΩ @ 4.5V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 60mΩ @ 2.5V
- 门源电压 (Vgs): ±12V
- 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V
- 封装: SC70-3

应用简介:
MCH3409-TL-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：

1. **低功耗开关：** MCH3409-TL-VB适用于低功耗开关应用，例如电源管理模块中的低功耗开关和电源切换。

2. **电源分配：** 可以用于电源分配单元，帮助控制电路中的电流流动，以实现电源的有效管理。

3. **电池保护：** 在电池保护电路中，MCH3409-TL-VB可用于电池充电和放电的控制，确保电池的安全运行。

4. **信号开关：** 可以用于信号开关应用，如模拟信号切换和信号放大器的输入开关。

5. **低功耗电子设备：** 由于其低静态导通电阻和低功耗，适用于需要节能的低功耗电子设备。

MCH3409-TL-VB的特点使其成为用于低功耗开关和电源管理的理想元件。它在低电流和低功耗应用中表现出色，可用于多种便携式和低功耗设备，如手机、平板电脑、传感器和便携式电子设备。