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KD2310-VB一个N沟道SOT23-3封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
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型号:KD2310-VB
丝印:VB1695
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:4A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):85mΩ @ 10V, 96mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1~3V
- 封装类型:SOT23

应用简介:
KD2310-VB是一款N沟道场效应晶体管(FET),广泛用于各种电子应用中。这款晶体管具有较高的额定电压和电流,以及低导通电阻,使其适合在多种电路中使用。其小巧的SOT23封装适合空间受限的应用。

应用领域:
1. 电源开关模块:KD2310-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器和DC-DC转换器,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. 电机控制模块:该型号可用于电机驱动电路,如电动工具、电动汽车和机器人,以控制电机的运行和效率。

3. LED照明:在LED照明应用中,KD2310-VB可以用于驱动LED,以确保恒定的亮度和效能。

4. 电池管理模块:在便携设备、电池供电系统和充电设备中,这款晶体管可用于电池管理电路,确保电池的安全充电和放电。

总之,KD2310-VB是一款高性能N沟道场效应晶体管,适用于多种电子领域,包括电源管理、电机控制、LED照明和电池管理等应用。其SOT23封装使其适用于空间受限的应用。

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