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JCS4N80FH-VB一个N沟道TO220F封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**产品型号:** JCS4N80FH-VB

**丝印:** VBMB185R05

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:TO220F
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:850V
- 额定电流:5A
- 导通电阻:RDS(ON)=2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=3.5V

**应用简介:**
适用于不同领域模块,具体作用包括:
1. **高压电源:** 在高压电源模块中,作为N-Channel功率开关,支持高压应用。
2. **电源逆变器:** 用于构建电源逆变电路,适用于需要高电压和低电流的应用。
3. **电力电子:** 在电力电子领域中,可用于各种电力控制和转换应用。

**使用注意事项:**
1. 请确保操作在额定电压和电流范围内,避免超过规定数值。
2. TO220F封装需要考虑适当的散热和布局设计,以维持正常工作温度。
3. 在设计中考虑阈值电压Vth=3.5V,确保适当的信号电平。
4. 根据具体应用场景选择适当的保护机制,以应对潜在的过电流和过压情况。

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