型号：ISL9N308AD3ST-VB
丝印：VBE1307
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 最大持续电流：60A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：1.6V
- 封装：TO252

详细参数说明：
ISL9N308AD3ST-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 30V 的额定电压和最大持续电流为 60A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 10mΩ @ 10V 和 11mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 1.6V。

应用简介：
ISL9N308AD3ST-VB 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于多种电路应用，特别适用于高电流和高电压应用。它通常用于电源开关、电机控制、电源转换器、电源逆变器、电池保护电路和其他需要高性能 MOSFET 的领域的模块。TO252 封装使其适用于各种应用，如工业控制、电源放大器、电动工具、电动汽车和其他高功率应用。这种型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高电流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，是需要高功率开关的应用的理想选择。