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IRLR120NTRPBF-VB一个N沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:IRLR120NTRPBF-VB
丝印:VBE1101M
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:100V
- 最大连续电流:18A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.6V
- 封装类型:TO252

应用简介:
IRLR120NTRPBF-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高电压和高电流性能的电子应用领域。以下是一些可能的应用领域:

1. 电源管理:这种高电压、高电流MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用,以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。

2. 电机控制:它适用于高功率电机控制,如电动机驱动器、直流电机控制、工业自动化设备和电机保护电路。

3. 汽车电子:在汽车电子中,这种MOSFET可以用于车辆电源管理、电机驱动、电动汽车充电设备等应用。

4. 高频开关电源:用于高频开关电源和逆变器,例如用于通信设备、太阳能逆变器、变频空调等领域。

5. 高性能电子设备:IRLR120NTRPBF-VB适用于需要高电流、高电压开关的高性能电子设备和工业控制系统。

总之,IRLR120NTRPBF-VB MOSFET适用于需要高功率、高电压、高电流性能的电子应用领域。这种组件有助于提高系统效率、可靠性和电能控制,因此在各种领域的模块和电路中广泛应用。

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