IRLML0100TRPBF (VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。
应用简介：IRLML0100TRPBF适用于低电压应用的N沟道MOSFET，常见于LED驱动、电源开关和电池管理等领域模块。
其低导通电阻有助于降低电压降和提高效率。
优势与适用领域：适用于低电压场景，如LED驱动、便携式设备和电池管理等模块。
低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。