型号: IRFL210TRPBF
丝印: VBJ1201K
品牌: VBsemi

参数说明:
- MOSFET类型: N沟道
- 额定电压(VDS): 200V
- 额定电流(ID): 1A
- 开通电阻(RDS(ON)): 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): 2~4V
- 封装类型: SOT223

应用简介:
这款IRFL210TRPBF MOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和适中的额定电流能力，适用于低功率开关和功率转换的应用。

这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。
- 工业自动化模块：适用于高压工业自动化控制系统中的功率开关和控制模块。
- 汽车电子模块：适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等低功率汽车电子模块。
- 通信设备模块：适用于高压高功率通信设备中的功率放大和开关模块。

总之，IRFL210TRPBF MOSFET适用于需要高电压N沟道MOSFET进行低功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低功率应用的模块。