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IRF840APBF-VB一个N沟道TO220封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
详细参数说明:
型号:IRF840APBF-VB
丝印:VBM15R13
品牌:VBsemi
参数:
- 类型: N沟道场效应管(N-Channel MOSFET)
- 最大电压:500V
- 最大电流:13A
- 静态电阻:660mΩ@10V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压:3.1V
- 封装类型:TO220

应用简介:

IRF840APBF-VB是一款强大的N沟道场效应管,具有较高的电压和电流承载能力。其低静态电阻和高阈值电压使其在各种应用领域中表现优秀。

该产品可以广泛应用于以下领域模块:
1. 电源模块:IRF840APBF-VB可用于高功率电源模块中,例如电力逆变器、开关电源和充电器等。
2. 高压驱动:由于其最大电压为500V,可以用于高压电路中的电机驱动,例如步进电机驱动器和直流电机驱动器。
3. 照明控制:IRF840APBF-VB适用于照明系统中的调光控制器和开关控制器模块,能够提供可靠的开关性能和高效的能量转换。
4. 电动汽车充电桩:该产品还可应用于电动汽车充电桩中,通过控制充电电流,确保电动汽车的安全充电。

总而言之,IRF840APBF-VB是一款多功能的N沟道场效应管,适用于电源、高压驱动、照明控制和电动汽车充电桩等领域的模块。它具有优异的性能和可靠性,可满足各种应用需求。

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