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IRF830A-VB一个N沟道TO220封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:IRF830A
丝印:VBM16R08
品牌:VBsemi
参数:
- 频道类型:N沟道
- 额定电压:600V
- 额定电流:8A
- RDS(ON):780mΩ @ 10V,1070mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:±20V
- 门源阈值电压:3V
- 封装类型:TO220

应用简介:
IRF830A(丝印:VBM16R08)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:

详细参数说明:
IRF830A是一款具有高额定电压和电流承载能力的N沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为600V,额定电流为8A,RDS(ON)为780mΩ @ 10V,1070mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为3V,封装类型为TO220。

应用领域:
IRF830A(VBM16R08)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域:

1. 电源管理模块:IRF830A可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动:它可应用于电机驱动电路中,提供高功率和高效能的电力输出,适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 高压电源系统:IRF830A适用于需要高额定电压和电流承载能力的高压电源系统,如高压DC/DC转换器和高压逆变器。

综上所述,IRF830A(VBM16R08)是一款N沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动和高压电源系统等领域模块。它具有高额定电压和电流承载能力,适用于需要高功率和高效能的电路。

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