型号：IRF5851TRPBF-VB
丝印：VB5222
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N+P沟道
- 额定电压：±20V
- 最大持续电流：7A（正向） / -4.5A（反向）
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 4.5V（正向） / 70mΩ @ 4.5V（反向），29mΩ @ 2.5V（正向） / 106mΩ @ 2.5V（反向）
- 阈值电压 (Vth)：0.71V（正向） / -0.81V（反向）
- 封装：SOT23-6

详细参数说明：
IRF5851TRPBF-VB 是一款 N+P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有双通道，其中一个为 N 沟道，另一个为 P 沟道。它支持额定电压为 ±20V，并具有最大持续电流为 7A（正向）和 -4.5A（反向）。RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为正向 20mΩ @ 4.5V 和 29mΩ @ 2.5V，反向 70mΩ @ 4.5V 和 106mΩ @ 2.5V。此外，正向和反向的阈值电压分别为 0.71V 和 -0.81V。

应用简介：
IRF5851TRPBF-VB 是一种多功能的双通道 MOSFET，适用于多种电路应用。它通常用于电源管理、电源开关、电源转换器、电池保护电路、逆变器等领域的模块。由于其双通道设计，它在设计中具有更大的灵活性，可用于多种电流和电压条件下的应用。SOT23-6 封装使其易于安装到电路板上。这种型号的 MOSFET 可以在需要 N 和 P 沟道器件的电路中提供可靠的性能，适用于多种领域，包括电子、通信、工业控制等。