型号：IRF540S-VB
丝印：VBL1104N
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 最大持续电流：45A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：32mΩ @ 10V, 34mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：2V
- 封装：TO263

详细参数说明：
IRF540S-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 100V 的额定电压和最大持续电流为 45A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 32mΩ @ 10V 和 34mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 2V。

应用简介：
IRF540S-VB 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于多种高功率和高电压应用。它通常用于电源开关、电机控制、逆变器、电源放大器、电源转换器等领域的模块。由于其高额定电压和大电流承受能力，它可以在高功率设备中用于电源开关，同时其低导通电阻有助于提高效率。TO263 封装使其易于安装到电路板上，适用于工业控制、电动工具、汽车电子和其他领域的应用。IRF540S-VB 可以在需要高性能开关的应用中提供可靠的性能。