型号: IPD35N10S3L-26-VB
丝印: VBE1104N
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 100V
- 最大电流: 40A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 30mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 31mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.8V
- 封装: TO252

应用简介:
IPD35N10S3L-26-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，具有高电压容忍能力和低导通电阻。它适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：

1. **电源开关：** IPD35N10S3L-26-VB可用作电源开关，用于控制电路中的高电流流动。它的高电压容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。

2. **电机驱动：** 在电机驱动器中，这种高电流FET可以用于控制电机的启停和速度控制，特别是在需要高电压的应用中。

3. **电子开关：** 适用于各种电子开关应用，如电源分配单元、开关电源、电源管理模块和电路断开。

4. **电源逆变器：** 在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、UPS系统等。

5. **电流控制：** 可以用于电流控制电路，例如电流限制器和电流源。

这些应用领域涵盖了需要高电压和高电流处理能力的多种高功率电子设备和模块。IPD35N10S3L-26-VB的特点使其成为用于高性能电源管理、电机控制和电流控制的重要元件。