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FW360-TL-E-VB一个N+P沟道SOP8封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**产品型号:** FW360-TL-E-VB
**丝印:** VBA5102M
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装: SOP8
- 类型: N+P—Channel沟道
- 额定电压: ±100V
- 额定电流: 4.6A (正向), -3.4A (反向)
- 开态电阻 (RDS(ON)): 95mΩ (正向) @ VGS=10V, VGS=20V; 243mΩ (反向) @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): ±1.5V

**封装:** SOP8

**详细参数说明和应用简介:**
该器件是一款SOP8封装的N+P—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种应用场景。主要参数包括双向电流通道、高额定电压、低开态电阻,使其在不同电源和负载条件下具有良好的性能。

**应用领域:**
1. **电源开关模块:** 由于其双向电流通道,可用于电源开关模块中的开关电源和电压调节。
2. **电机驱动模块:** 适用于需要正反向电流控制的电机驱动模块,提供可靠的电流驱动。
3. **电源逆变模块:** 在需要进行电源逆变的场景中,可用于电源逆变模块,实现对电源的逆变。

**作用:**
- **电源开关模块:** 用于开关电源和电压调节,实现电源的高效能转换。
- **电机驱动模块:** 提供可靠的电流驱动,控制正反向电机的运行。
- **电源逆变模块:** 作为电源逆变的一部分,实现对电源的逆变。

**使用注意事项:**
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以确保器件的可靠性和稳定性。
2. 在设计中考虑散热需求,特别是在高电流和高功率应用中。
3. 确保在阈值电压范围内使用,以确保正常工作。
4. 避免超过额定电压和电流,以免损坏器件。

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