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FU9024N-VB一个P沟道TO251封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号: FU9024N-VB

丝印: VBFB2610N

品牌: VBsemi

参数:

- 封装: TO251
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压(V): -60V
- 额定电流(A): -25A
- 开态电阻(RDS(ON)): 66mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1.43V

封装: TO251

重新生成的详细参数说明和应用简介:

FU9024N-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,采用TO251封装。其主要参数包括-60V的额定电压,-25A的额定电流,以及在不同门源电压下的开态电阻。

**详细参数说明:**

1. **额定电压(V):** -60V - 这表示器件能够在-60V的电压下正常工作。这是一个P—Channel MOSFET,所以其额定电压为负值。

2. **额定电流(A):** -25A - 这表示器件可以承受的最大电流为-25安培。

3. **开态电阻(RDS(ON)):** 66mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 这表示在不同的门源电压下,器件的导通状态时的电阻。在这个例子中,当门源电压为10V或20V时,开态电阻为66毫欧姆。

4. **阈值电压(Vth):** -1.43V - 这是器件的阈值电压,即MOSFET开始导通的门源电压。

**应用简介:**

FU9024N-VB适用于多种领域的电源和开关电路,具体包括但不限于:

1. **电源开关:** 适用于电源开关电路,例如直流-直流(DC-DC)变换器。

2. **电机驱动:** 由于其中等额定电流,可用于小型电机驱动电路,如风扇驱动、小型电动工具等。

3. **电源模块:** 适用于设计小功率电源模块,提供高效的电源解决方案。

4. **LED驱动:** 在LED照明系统中,可以用于P—Channel MOSFET的驱动电路。

总的来说,FU9024N-VB是一款中功率P—Channel MOSFET,适用于需要中等电流和低开态电阻的各种电源和开关电路应用,特别在需要较低额定电压和小功率的场合,如电源开关、电机驱动、电源模块和LED驱动等领域。

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