型号：FTD36N06N-VB
丝印：VBE1638
品牌：VBsemi

参数说明：
- N沟道
- 额定电压：60V
- 最大电流：45A
- 静态导通电阻(RDS(ON))：24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压(Vth)：1.8V
- 封装类型：TO252

应用简介：
FTD36N06N-VB是一种N沟道MOSFET晶体管，适用于多种电子设备和应用领域，具有卓越的电压容忍度和电流处理能力。以下是一些可能的应用领域：

1. 电源模块：FTD36N06N-VB可用于电源模块，以支持中等电压和电流的应用，适用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器设计。

2. 电机控制：该MOSFET适合用于电机控制电路，可用于电机驱动系统、电动车辆和工业自动化设备，支持高电流和高效率。

3. 电池管理：这款MOSFET可用于电池管理系统，用于电池的充放电控制和保护，适用于电动汽车、太阳能存储系统等领域。

4. DC-DC变换器：在DC-DC变换器中，FTD36N06N-VB可用于电压升降和功率转换，适用于工业设备、通信基站和电源模块。

5. 汽车电子：在汽车电子领域，它可以用于电子控制单元（ECU）、车辆电路保护和电池管理系统，支持汽车电子的高功率和高电流要求。

总之，FTD36N06N-VB是一种多功能的N沟道MOSFET晶体管，适用于多种高功率、高电压应用，以提供卓越的性能和可靠性。它特别适用于需要高功率开关和电压控制的应用。