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FL014N-VB一个N沟道SOT223封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
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**FL014N-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **丝印:** VBJ1695
- **封装:** SOT223
- **参数:**
- N—Channel沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:4A
- RDS(ON):76mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.53V

**应用简介:**

FL014N-VB是一款SOT223封装的N—Channel沟道场效应晶体管,适用于中等电流和中等电压的功率开关和放大应用。

**领域模块及作用:**

1. **电源开关:** 用于中等电流电源模块的功率开关,提供可靠的电源开关解决方案。

2. **电池管理系统:** 在需要电流控制的电池管理系统中发挥作用,确保充电和放电过程的稳定性。

3. **LED驱动:** 适用于LED照明驱动,提供高效的电流控制,可用于照明系统和显示屏。

**使用注意事项:**

1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流,以防止器件损坏。

2. **温度控制:** 在操作过程中保持适当的温度,避免过热。

3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以防止静电损害。

4. **阈值电压:** 确保正确的阈值电压,以确保器件在正常工作范围内。

以上信息仅供参考,具体应用需根据实际情况调整。

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