型号：FDT86113LZ
丝印：VBJ1101M
品牌：VBsemi

详细参数说明：
- 类型：N沟道MOSFET
- 最大耐压：100V
- 最大电流：5A
- 导通电阻：100mΩ@10V, 120mΩ@4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：2~4Vth
- 封装：SOT223

应用简介：
FDT86113LZ是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为5A，具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 照明模块：可用于LED驱动和照明控制。
3. 工业自动化模块：适用于工业自动化领域中的负载开关和电源控制。

总之，FDT86113LZ适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和工业自动化模块等。