型号：FDT3612-VB
丝印： VBJ1101M
品牌： VBsemi
封装： SOT223
详细参数说明：

沟道类型（Channel Type）： N—Channel
最大漏电流（Maximum Drain Current）： 5A
最大漏电压（Maximum Drain-Source Voltage）： 100V
导通电阻（On-Resistance）： RDS(ON)=100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
阈值电压（Gate Threshold Voltage）： Vth=2~4V
应用简介：
FDT3612-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管，具有适中的漏电流、较高的漏电压、低导通电阻等特性。采用SOT223标准封装，适用于多种电子应用。

主要应用领域模块：

电源开关模块： 适用于电源开关模块，实现高效的电源控制和管理，尤其在低至中功率的应用中表现出色。

电流控制模块： 由于其适中的性能参数，可用于电流控制模块，实现对负载电流的有效控制。

电池保护模块： 适用于电池保护电路，提供对电池的有效保护。

使用注意事项：

请按照厂家提供的规格书和应用指南使用，并确保工作条件在组件的规定范围内。
确保电路设计合理，以防过电流、过电压等情况对器件造成损害。
注意适当的散热设计，特别是在高功率应用中，以确保器件在正常工作温度范围内。
遵循焊接和封装的相关标准，确保器件与电路板的可靠连接。