型号：FDS4935BZ-NL&38-VB

丝印：VBA4338

品牌：VBsemi

封装：SOP8

**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** 2个P—Channel
- **最大漏电流（Maximum Drain Current）：** -7A
- **最大漏电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** -30V
- **导通电阻（On-Resistance）：** RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压（Gate Threshold Voltage）：** Vth=-1.5V

**应用简介：**
FDS4935BZ-NL&38-VB是一款双P—Channel沟道场效应晶体管，具有较高的漏电流、低漏电压、低导通电阻等特性。采用SOP8标准封装，适用于各种电子应用。

**主要应用领域模块：**
1. **电源开关模块：** 由于FDS4935BZ-NL&38-VB的双P—Channel结构，可用于电源开关模块，实现高效的电源控制和管理。

2. **电流控制模块：** 该器件的高漏电流和低导通电阻使其在电流控制模块中表现出色，可用于精准的电流控制应用。

3. **驱动和放大模块：** 适用于需要P—Channel场效应晶体管的驱动和放大模块，确保信号的可靠放大和传输。

4. **电池保护模块：** 由于其低漏电流和低导通电阻的特性，可用于电池保护电路，提供对电池的有效保护。

请根据具体的系统设计需求，选择适当的元件，并确保遵循相应的规格和设计指南。