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FDC6327C-VB一个N+P沟道SOT23-6封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:FDC6327C-VB
丝印:VB5222
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N+P沟道
- 额定电压:±20V
- 最大连续电流:7A / -4.5A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V
- 门源极电压(Vgs):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):0.71V / -0.81V
- 封装类型:SOT23-6

应用简介:
FDC6327C-VB 是一款同时具有N+P沟道的MOSFET,适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块:

1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于电源开关模块,以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和低电压电源应用。

2. **电池保护模块**:在需要保护电池免受过放电和过充电的应用中,FDC6327C-VB 可用于电池保护电路,确保电池的安全运行。

3. **DC-DC变换器**:在DC-DC变换器中,这款MOSFET可用于帮助实现电压升降和电能转换。它适用于便携式设备、通信设备和工业应用。

4. **电机驱动模块**:FDC6327C-VB 可用于电机驱动和控制模块,包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。

5. **电流控制模块**:在需要高性能电流控制的应用中,这款MOSFET可以用于电流传感器和电流放大器模块。

FDC6327C-VB 具有N+P沟道,可同时控制正向和负向电流,适用于多种应用领域,包括功率管理、电源开关和电流控制。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。

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